半導體界面控制國際研討會議（7th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces）是半導體界面控制技術的重要論壇之一，以加速產品上市的時間，其中需應用到許多科學領域的技術，由設計/設備/製程技術幾大類著手，使縮短產品研發時間。而此次第七屆半導體界面控制國際研討會議(ISCSI-VII)是在日本名古屋的名古屋大學（Nagoya University）舉行，會議日期從2016年06月07日至06月11日止，此次研討會是由名古屋大學、日本學術振興會（Japan Society for the Promotion of Science，JSPS）共同舉辦。本屆會議主題包含新穎半導體材料、半導體材料晶格生長、半導體材料特性與應用等技術探討與研究。會議中對於矽鍺(Silicon Germanium，SiGe)、鍺錫(Germanium Stannum，GeSn)、氮化鎵(Gallium nitride，GaN)、高介電係數介電材料(High-k dielectric)、石墨烯(Graphene)、碳化矽(Silicon Carbide，SiC)等新穎之半導體材料有詳盡的討論。此次會議主要任務是希望結合全球專業領域人士，共同關注於新穎的半導體界面控制技術，一起改善現今半導體材料技術所面臨的難題，並針對相關技術進行交流討論。