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國立暨南國際大學
第十五屆非揮發性記憶體技術研討會
基本資料
系統識別號: |
C10404595 |
相關專案: |
無 |
計畫名稱: |
第十五屆非揮發性記憶體技術研討會# |
報告名稱: |
第十五屆非揮發性記憶體技術研討會 |
電子全文檔: |
C10404595_1.pdf
|
附件檔: |
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報告日期: |
105/01/04 |
報告書頁數: |
3 |
計畫主辦機關資訊
計畫主辦機關: |
國立暨南國際大學
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出國期間: |
104/10/10 至 104/10/15 |
姓名 |
服務機關 |
服務單位 |
職稱 |
官職等 |
蔡智傑 |
國立暨南國際大學 |
電機系 |
博士生 |
其他 |
報告內容摘要
非揮發性記憶體技術研討會(Non-Volatile Memory Technology Symposium)是全球記憶體設計與技術的重要論壇,以加速產品上市的時間,其中需應用到許多科學領域的技術,由設計/設備/製程技術幾大類著手,使縮短產品研發時間。而此次第十五屆非揮發性記憶體技術研討會(NVMTS)是在大陸北京的清華大學(Tsinghua University)舉行,會議日期從2015年10月12日至10月14日止,此次研討會是由北京清華大學、電機電子工程師學會(Institute of Electrical and Electronics Engineers,IEEE)與電子設備學會(Electron Devices Society,EDS)共同舉辦。本屆會議主題包含快閃記憶體(Flash)、磁電阻式記憶體(Magnetoresistive Random Access Memory,MRAM)、相變隨機存取記憶體(Phase Change Memory,PCRAM)、鐵電隨機存取記憶體(Ferro Electric Random Access Memory,FeRAM)等技術探討與研究。此次會議主要任務是希望結合全球專業領域人士,共同關注於新式代記憶體技術,一起改善現今記憶體技術所面臨的難題,並針對相關技術進行交流討論。
其他資料
前往地區: |
中國大陸; |
參訪機關: |
北京清華大學 |
出國類別: |
其他 |
關鍵詞: |
非揮發式記憶體,快閃記憶體 |
備註: |
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分類瀏覽
主題分類: |
科學技術 |
施政分類: |
培育、延攬與獎勵科技人才 |