本次赴美國國家標準與技術研究院（National Institute of Standards and Technology, NIST）及其合作機構參訪，主要聚焦於半導體量測技術、材料純度檢測、標準物質研製及國際合作。隨著該國晶片與科學法案通過後，該國已將量測領域技術納入國家科技安全及產業競爭力的戰略層級，而NIST在超微量不純物分析、半導體關鍵尺寸非破壞檢測及極紫外光光源計量等半導體計量領域，均居於全球領先地位。 在材料與化學計量方面，NIST分享輝光放電質譜及光譜技術，能將固體與氣體的檢測靈敏度推進至兆分之一（ppt）等級，並持續開發高純度材料的參考標準物質供產業使用、參考物質辦公室則正積極數位化 SRM 管理，但尚未提供數位校正證書（Digital Calibration Certificate, DCC）服務。在物理與奈米計量方面，NIST 推動石墨烯量子電學標準、低溫電子元件量測、EUV 高次諧波光源（High Harmonic Generation, HHG）及原子級精確製造（Atomically Precise Fabrication, APF），並以同步輻射光源（Synchrotron Ultraviolet Radiation Facility, SURF III）及關鍵尺寸小角度X光散射（Critical Dimension Small Angle X-ray Scattering, CDSAXS）技術，支援EUV光學元件與閘極環繞電晶體（Gate-All-Around, GAA）結構的非破壞性檢測。 NIST 亦持續發展混合計量（Hybrid Metrology），結合穿透式電子顯微鏡（Transmission Electron Microscopy, TEM）與原子探針斷層掃描（Atom Probe Tomography, APT）同步分析奈米結構，補足單一技術的限制，此研究可作為我國國家度量衡實驗室未來建構跨尺度量測平台規劃目標。 另外，NIST國國際與學術事務辦公室建議雙方可在氣體與化學參考物質、先進封裝曲度標準及數位孿生展開深度合作，並透過人員交流、共同專案與訂定明確里程碑，推進半導體計畫合作落地。 整體而言，此次參訪持續與NIST各實驗室探詢合作意向及瞭解研究方向，未來若能深化合作，將有助於鞏固我國在半導體領域國際標準制定與全球供應鏈中的核心地位，並確保產業競爭力持續領先。