今年度於本次參加在加拿大溫哥華舉辦「第217屆電化學會議」，自民國99年4月25日至民國99年4月30日為期六天學術研討會，主要參與「E6 - Wide-Bandgap Semiconductor Materials and Devices 11」主題，在4月25日當天到會場Hyatt Regency Vancouver三樓報到並領取會議資料。於4月27日18:00在Fairmont Hotel Vancouver發表本次報告題目：「InGaN-Based Light Emitting Diodes with an AlN Sacrificial Buffer Layer for Chemical Lift-Off Process」，報告重點為利用氮化鋁犧牲層與成長於圖案化基板所產生之空氣孔洞於氮化鎵/氧化鋁基板間進行化學濕式蝕刻，可有效加速氮化鋁移除速率，達到氮化銦鎵發光二極體磊晶膜與基板分離技術，是繼雷射基板剝離技術後，為另一種避免高能雷射造成磊晶片受損之基板分離技術。