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基本資料
系統識別號: |
C10503210 |
相關專案: |
無 |
計畫名稱: |
二維半導體材料元件技術開發研究# |
報告名稱: |
二維半導體材料元件技術開發研究 |
電子全文檔: |
C10503210_1.pdf
|
附件檔: |
|
報告日期: |
105/09/02 |
報告書頁數: |
11 |
計畫主辦機關資訊
姓名 |
服務機關 |
服務單位 |
職稱 |
官職等 |
何焱騰 |
國立交通大學 |
|
約聘副研究員 |
其他 |
報告內容摘要
本次赴美國加州大學洛杉磯分校作短期研究,主要是配合前瞻奈米電子與系統研究中心計畫,進入電機系教授 Jason Woo實驗室進行二維材料TMDs (Transition Metal Dichalcoganides, 過渡金屬硫屬化合物) MoS2 (二硫化鉬)新穎半導體其元件製程開發,並學習其元件分析技術。
由於本人過去投入MoS2等材料之合成技術,並提出許多提升二維材料性質之新製程,想藉由Woo教授及其團隊在元件物理及二維材料如石墨烯元件開發之經驗,共同開發MoS2電晶體相關製程技術。
本次短期合作研究,雖然時間短暫,收穫很大,除了解加州大學洛杉磯分校在石墨烯二維材料之製程開發與模擬評估方式外,亦學習關鍵二維材料之電晶體製程與接觸電阻檢測技術,對未來開發高性能MoS2電晶體元件技術,有莫大助益。
其他資料
前往地區: |
美國; |
參訪機關: |
加州大學洛杉磯分校 |
出國類別: |
研究 |
關鍵詞: |
新穎半導體 |
備註: |
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